德银正在12月10日宣布的2026年欧洲科技硬件行业陈诉中以为，2026年科技硬件将由六大焦点主导：内存欠缺、AI挤压主流组件、光电子加快渗入、进步封测升级、800V电源架构改动及边际AI回归伸长。

　　商场正体验猛烈的代价震动，内存欠缺已从纯正的组件危害升级为宏观层面的闭心。据追风往还台新闻，德银说明师Robert Sanders团队正在研报中暗示，过去三个月，DRAM现货代价暴涨300-400%，NAND闪存同步大涨200%，且涨势正向合约价迅速传导。

　　与此同时，AI 支付继续挤占主流电子组件供应，光电子、进步封测、800V 电源架构等工夫赛道加快发生，边际 AI 已正在众个范围变成落地态势。众重变量正重构行业比赛方式。

　　这些趋向将直接影响消费电子、智熟手机、数据中央等闭节终端商场，激动产物迭代延迟、设备调理与代价震动，同时为半导体配置、功率器件、光模块等细分范围带来机闭性投资机缘，片面龙头企业估值希望冲破史书区间。

　　数据显示，过去三个月DRAM现货代价飙升300-400%，个中DDR4现货价到达每GB17美元，DDR5为13-14美元；NAND闪存闭节标杆产物TLC512Gb现货价也上涨200%，供应商议价才华明显加强。

　　合约价同样外示迅速上涨态势，Trendforce数据显示，2025年第四序度PCDRAM合约价环比上涨25-30%，供职器DRAM环比涨幅高达43-48%，11月晶圆级NAND合约价环比涨幅介于20-60%之间。商场众数预期，跟着渠道库存耗尽，2026年上半年DRAM和NAND合约价将再涨30-50%。

　　这一欠缺态势将继续至2027年，激动晶圆制作配置（WFE）支付超预期伸长，特别利好DRAM闭系配置企业。德银预测，ASML等半导体配置龙头的估值不妨冲破惯例25-30倍的2027年预期市盈率区间，ASML对象价已上调15%至1150欧元，对应35倍2027年预期市盈率。

　　AI支付的发生式伸长加剧了闭节组件的供应危殆，对低中端智熟手机、PC等主流电子范围组成继续阻力。内存、无源器件、光组件及硬盘驱动器（HDD）的供应受限，使得议价才华较弱的OEM厂商陷入被动。

　　研报征引据途透社报道，Realme闭系有劲人暗示，内存本钱的高峻上涨不妨迫使公司正在2026年6月前将手机代价抬高20-30%。Dell首席运营官Jeff Clarke也正在财报电话集会中称，目今本钱上涨速率前所未有。

　　相对而言，汽车行业因具有独立产线受冲锋较小，但Nokia和Ericsson等汇集配置厂商不妨面对无源器件等组件的供应压力。Raspberry Pi、Soitec等对智熟手机行业吐露度较高的企业，将直面筹备压力。

　　德银暗示，AI数据中央的带宽需求爆炸式伸长，激动光电子/光子学工夫成为行业伸长的中枢引擎。目今众半AI数据中央采用以太网或InfiniBand搭配可插拔光模块，来日将慢慢向高速可插拔光模块、线性可插拔光学（LPO）及共封装光学（CPO）演进，以告竣更低功耗和延迟。

　　LPO通过线性驱动器代替完美DSP，明显低落功耗与延迟；CPO则将光引擎紧邻交流机/xPU安顿，大幅擢升能效，这两种工夫均激动硅光子学（SiPho）的渗入率迅速擢升。Tower Semi打算正在2025年尾将硅光子产能翻倍，并正在2026年中再扩充三倍，对象2026年硅光子出卖额到达9亿美元，较2024年的1.05亿美元告竣超过式伸长。

　　研报提出，闭系企业已踊跃组织抢占商场份额，Nokia通过Elenion往还取得自有SiPho平台，并正正在圣何塞扩修光子芯片工场，产能将擢升25倍，其AI数据中央闭系订单年头至今已伸长3倍；Soitec的SOI晶圆正在低插入损耗单模波导范围吞没主导名望，是GFF otonix和TowerPH18平台的首选计划。

　　德银暗示，AI加快器繁复度擢升与产物价格伸长，激动测试与进步封测成为半导体财产链的闭节伸长点。跟着AI加快器封装集成的芯粒数目添补，产物报废本钱呈指数级上升，促使企业大幅添补测试预算，英伟达等客户正踊跃扩充测试遮盖鸿沟，激动高本钱测试计划的普及。

　　研报以为，台积电打算正在2022-2026年间将AI测试产能以80%的复合年伸长率扩张，OSATs也正在2026年踊跃扩产以缓解产能管束。进步封测范围，2.5DCoWoS产能继续危殆，台积电和OSATs均正在加码闭系进入，同时行业正向3D封装踊跃转移，苹果打算2026年正在高端札记本电脑（M5Pro、M5Max）中初次采用台积电的3D封装计划SolC-mH。

　　HBM范围的工夫升级进一步翻开封测商场空间，2026-2027年HBM4E和HBM5希望从TCB工艺转向无焊剂TCB或D2W搀和键合工艺，以声援16层及以上堆迭；Intel的PowerVia背侧供电工夫则将激动W2W搀和键合趋向加快。Technoprobe仰仗正在探针卡范围的上风直经受益于测试需求伸长，Besi则正在搀和键合范围与台积电深度团结，希望正在高堆迭HBM量产中取得更大商场份额。

　　德银暗示，英伟达激动AI数据中央从48V向800V电源架构转型，成为功率半导体范围的首要改变，氮化镓（GaN）动作中枢器件迎来繁荣机会，但商场乐观心思已显现太过响应迹象。目今48V架构正在高功率传输中存正在主要功率损耗和铜缆本钱题目，800V架构通过高压低电传布输，可明显擢升恶果并低落铜缆利用量，同时鉴戒电动汽车疾充工夫，简化供电链途。

　　这一转型涉及电网接口、机架级DC/DC转换和板级电源三个闭节阶段，电网接口需升级为固态变压器（SST），采用SiC开闭和高频磁元件；机架级转换依赖高压GaN、SiC等器件告竣高效降压；板级电源则面对古板横向VRM与笔直/共封装电源的工夫道途比赛，谷歌已正在TPU中安顿笔直电源，能耗较GPU低落60-65%。

　　从商场前景来看，AI照料器功耗估计将从2023年的7GW伸长至2030年的70GW，为GaN和SiC创建强大商场空间，Infineon估计到2030年其AI电源可寻址商场领域将到达80-120亿欧元。

　　但德银告诫，Aixtron股价自2025年11月3日Kerrisdale报密告布今后已上涨28%，且面对两项券商上调评级，目今商场对GaN的乐观预期不妨已太过，若800V架构安顿因工夫故障或其他要素延迟，闭系企业将面对估值回调危害。比拟之下，Infineon仰仗率先告竣300mmGaN量产的上风，正在数据中央范围的商场份额希望继续擢升。

　　边际AI历经众年冬眠后，2026年将迎来适度伸长态势，成为科技硬件行业不成粗心的新伸长点。所谓边际AI，是指正在终端配置或当地边际节点展开轻量化AI照料，无需依赖云端重型策画，其中枢上风正在于保护数据隐私、低落传输延迟，同时大幅撙节数据中央摆设与运营本钱。

　　德银正在研报中暗示，从操纵场景来看，边际AI已正在众个范围变成落地态势。汽车ADAS体例、视频安防配置、工业限制终端成为中枢操纵场景，Rockwell近期推出基于英伟达NemotronNano的专用小型讲话模子（SLM），依托开源模子与英伟达Nemo工夫，为工业情况供应边际天生式AI才华；Ambarella揭露，其涉及配置端AI照料的边际AI营业，2025年已占公司营收的80%。消费电子、可穿着配置、智能家居等范围则成为潜正在伸长极，合计吞没边际AI配置商场约70%的机缘空间。

　　商场领域希望告竣高速扩张，SHDGroup预测，到2030年边际AI配置收入将到达1030亿美元，2025-2030年复合年伸长率高达21%；CEVA更估计，其物理AI与边际AI的可寻址商场领域到2030年将冲破1700亿美元。轻量化蒸馏模子的迭代为行业伸长供应闭节维持，HuggingFace榜单显示，MicrosoftPhi-3.5-mini-Instruct、DeepSeek-R1-Distil-Owen-1.5B等参数小于30亿的模子已具备较强适用性，激动边际AI正在低算力配置上的普及。